修远核心技术
基于四大面板技术的探测器产品:非晶硅、氧化物、柔性屏、CMOS;
碘化铯直接蒸镀及特种陶瓷晶体闪烁体;
高度集成的电子解决方案;
深度影像系统知识及丰富的知识产权库。
TFT背板
非晶硅、IGZO TFT设计，CMOS面板设计、柔性技术
闪烁体
碘化铯膜蒸镀、封装，碘化铯晶体、GOS陶瓷生长
电子
ROIC芯片、低噪声低功耗，FPGA 1 ARM、高速稳定WiFi
影像链
X射线系统集成，优异的图像处理与临床应用软件
200+知识产权
众多的设计专利，软件著作权及发明专利授权
基于四大技术的探测器产品
非晶硅传感器
用于X射线成像的非晶硅(a-Si)图像传感器由二维像素化结构组成。每个像素包含一个转换薄膜晶体管(TFT) 和一个光敏光电二极管。这两个元件均采用非晶硅制造而成，通过光刻工艺安装在大面积玻璃基板上。
柔性传感器
用于X射线成像的柔性图像传感器由二维结构组成，其中TFT和光电二极管均安装在柔性基板。这样就能够开发出轻薄、可弯曲且坚固耐用的便携式X射线探测器。
氧化物传感器
与传统的非晶硅薄膜晶体管相比，氧化物薄膜晶体管的通态电流更高，关断电流更低。这样读取速度更快、帧速更高，像素更小;分辨率会更好，噪声更低，从而改善低剂量量子检测效率，更少泄漏，动态范围会更大。
CMOS传感器
晶体硅(C-Si) 相对于非晶硅电荷迁移率要高得多，因此图像传感器的读取速度更高，电子噪声明显更低。因为低剂量检测量子效率(DQE) 优于非晶硅检测器，所以CMOS传感器特别适用于低剂量荧光成像。
非晶硅、柔性、氧化物、CMOS探测器性能参数对比
闪烁体晶体及碘化铯直接蒸镀
碘化铯闪烁体
修远多款平板探测器均使用掺杂有铊的碘化铯(Csl:TI)作为闪烁体。掺杂有铊的碘化铯直接蒸发到传感器阵列上，因此会与光敏像素元件直接接触。直接沉积的碘化铯的针状结构可充当光纤，从而防止光的横向传播，并改善调制传递函数(MTF)。
闪烁体晶体
修远创新性的采用低成本、环保型工艺设计，实现了碘化铯(CsI)闪烁晶体、GOS陶瓷晶体及钨酸镉(CWO) 单晶的批量生产，产出的闪烁体晶体具有易于加工、余辉小、光输出高等优点。凭借其优异的性价比，这些产品可以广泛的应用于安全检测、医疗领域及高能物理等大科学项目中。
探测器的闪烁体性能对比
碘化铯闪烁体独特的针状结构使其具有比GOS闪烁体更好的调制传递函数(MTF) 与量子探测效率(DQE)，
从而拥有更高的图像细节表现力与更低的曝光剂量。
高度集成的电子解决方案
ROIC芯片
自主研发64 I 256通道模拟前端集成了低通滤波器，相关双采样，积分读出并行模式( pipeline)和内置16-bit ADC。
低噪声、低功耗
内置高转换效率-低辐射( EMI )DC/DC模块降低功率损耗，设计不同等级的休眠唤醒模式和最小系统实现低功耗。
FPGA/ARM解决方案
强大的FPGA数据采集和数据处理能力，支持基于巨帧UDP的千兆网，基于GigaVision 2.0的万兆网，基于光纤PCle 卡可实现6.25 Gbps带宽。
高速稳定WiFi
修远采用先进的无线技术，这种技术支持高吞吐量通信，可提升探测器与任何采集工作站或移动设备之间的连接性能。
无线智能iAEC技术
修远科技iAEC技术，打破传统AEC藩篱，不仅摒弃了外接电离室的高压控制方案，而且比有线数字AEC技术的应用更加灵活、便捷，
新型智能曝光控制方法，为数字化X线影像技术提供更多无限可能。
深度影像系统
影像系统
修远在数字平板探测器和X射线系统核心部件上有着多年的经验，影像系统支持多重算法，
运用板内图像校正和采集子系统上的数据可产生更佳的图像质量;
修远数字平板探测器具有外触发、软触发和自动曝光检测(AED)等触发连接模式，可为系统集成提供不同的方案;
同时，还可支持多种先进的应用，如双能、3D tomo、road-mapping 和减影血管造影等。
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